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J-GLOBAL ID：200903088289048243

固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Inventor： 玉越 晃
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006311313
Publication number (International publication number)：2008131138
Application date： Nov. 17, 2006
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：

【課題】搭載する撮像装置の種類に応じて構成を容易に変更することが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部1と、フローティングディフュージョン部1に蓄積された電荷に応じた信号を出力する多段接続された3つのソースフォロア回路S0,S1,S2とを含む出力アンプを有する固体撮像素子であって、ソースフォロア回路S0,S1,S2のうちの最終段のソースフォロア回路S0の定電流源として機能する負荷トランジスタDN0を、固体撮像素子の動作時に常時オフとなって高抵抗として機能するエンハンスメント型のトランジスタNAとした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された電荷に応じた信号を出力する少なくとも1つのソースフォロア回路とを含む出力アンプを有する固体撮像素子であって、 前記少なくとも1つのソースフォロア回路のうちの最終段のソースフォロア回路の定電流源として機能する負荷トランジスタを、前記固体撮像素子の動作時に常時オフとなって高抵抗として機能するトランジスタとした固体撮像素子。

IPC (2)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (3)：

H04N5/335 Z ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 F

F-Term (14)：

4M118AA04 ,  4M118AA09 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA11 ,  5C024CY47 ,  5C024GX16 ,  5C024GY01 ,  5C024HX02 ,  5C024HX17 ,  5C024HX40 ,  5C024HX50

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-221077   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特許第2689897号明細書