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J-GLOBAL ID：200903088311259024

微細パターン形成方法

Inventor： 山下 一博 ,  松尾 隆弘
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133342
Publication number (International publication number)：1996328265
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、アスペクト比の高い微細パターンを形成する際の現像後のパターンだおれを防止することを目的とするものである。【構成】 半導体基板上に放射線に感光してスルホン酸発生基を有するポリメタクリ酸誘導体から構成されたレジストを塗布する工程と、前記レジストを放射線で露光する工程と、前記レジストの酸の発生した領域に水を吸収させる工程と、水蒸気と金属アルコキシド蒸気を前記レジスト表面に接触させ前記レジストの露光部に選択的に金属酸化膜を形成する工程と前記金属酸化膜をマスクにして前記レジストをエッチングすることにより高精度の微細パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に放射線に感光して酸を発生するレジストを塗布する工程と、前記レジストを放射線で露光する工程と、前記レジストの酸の発生した領域に水を吸収させる工程と、水蒸気と金属アルコキシド蒸気を前記レジスト表面に接触させ前記レジストの露光部に選択的に金属酸化膜を形成する工程と、前記金属酸化膜をマスクにして前記レジストをエッチングする工程とを有する微細パターン形成方法であって、前記半導体基板上に塗布するレジストがメタクリル酸メチル誘導体と酸発生材を有することを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/30 568