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J-GLOBAL ID：200903088313797023

ドライエッチング方法

Inventor： 飯塚 勝彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320029
Publication number (International publication number)：1994168913
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置製造工程でのシリコン酸化物膜のドライエッチング方法に関し、シリコンに対する選択比が大きく、エッチレートの均一性およびエッチング形状の高精度を確保したドライエッチング方法を提供する。【構成】 処理ガスをプラズマエッチング装置の処理室に導入して基板上に形成されたシリコン酸化物膜をドライエッチングする方法において、前記処理ガスとして、(1)硫黄およびフッ素を含むガスと、窒素を含むガスとの混合ガス、(2)硫黄およびフッ素を含むガスと、窒素を含むガスと、水素を含むガスとの混合ガス(3)フッ素を含むガスと、窒素を含むガスと、硫黄および水素を含むガスとの混合ガス、からなる群から選択される混合ガスを用いことを特徴とするドライエッチング方法に構成する。硫黄の側壁保護膜を形成して、サイドエッチングを防止して異方性エッチングとなる。

Claim (excerpt)：

処理ガスをプラズマエッチング装置の処理室に導入して基板上に形成されたシリコン酸化物膜をドライエッチングする方法において、前記処理ガスとして、(1)硫黄およびフッ素を含むガスと、窒素を含むガスとの混合ガス、(2)硫黄およびフッ素を含むガスと、窒素を含むガスと、水素を含むガスとの混合ガス(3)フッ素を含むガスと、窒素を含むガスと、硫黄および水素を含むガスとの混合ガス、からなる群から選択される混合ガスを用いことを特徴とするドライエッチング方法。