カーボンナノクラスタ膜の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：谷義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001289289
Publication number (International publication number)：2003096555
Application date： Sep. 21, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】特異な物性を示す微小な炭素材料からなる結晶性の膜であるカーボンナノクラスタ膜をECRスパッタ法により形成する。【解決手段】磁場が印加されたプラズマ室にプラズマ生成用ガスおよびマイクロ波を導入し、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成する工程と、磁場によりプラズマ室から成膜室にプラズマを引き出す工程と、プラズマによるプラズマ流を囲むように、成膜室に配置された円筒状のカーボンからなるターゲットを、プラズマでスパッタする工程とを備え、複数のグラーフェンシートにより構成された複数のクラスタにより形成された膜を、成膜室に配置された基板の上に形成するカーボンナノクラスタ膜の形成方法であって、成膜室に配置された前記基板に0〜-150Vのバイアス電圧を印加した。

Claim (excerpt)：

磁場が印加されたプラズマ室にプラズマ生成用ガスおよびマイクロ波を導入し、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成する工程と、前記磁場により前記プラズマ室から成膜室に前記プラズマを引き出す工程と、前記プラズマによるプラズマ流を囲むように、前記成膜室に配置された円筒状のカーボンからなるターゲットを、前記プラズマでスパッタする工程とを備え、複数のグラーフェンシートにより構成された複数のクラスタにより形成された膜を、前記成膜室に配置された基板の上に形成するカーボンナノクラスタ膜の形成方法であって、前記成膜室に配置された前記基板に0〜-150Vのバイアス電圧を印加することを特徴とするカーボンナノクラスタ膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 14/06 , C01B 31/02 101 , C23C 14/35

FI (3)：

C23C 14/06 F , C01B 31/02 101 Z , C23C 14/35 F

F-Term (15)：

4G046CA01 , 4G046CB03 , 4G046CC06 , 4G046CC09 , 4K029AA06 , 4K029BA34 , 4K029BB01 , 4K029BB08 , 4K029BC03 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DC05 , 4K029DC13 , 4K029DC48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

アモルファスカーボン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-250205 Applicant：日本電信電話株式会社

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