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J-GLOBAL ID：200903088328378787

ITOスパツタリングタ-ゲツト及びその製造方法

Inventor： 中島 光一 ,  桑野 勝雄 ,  佐藤 則秋
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 今井 毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289191
Publication number (International publication number)：1993098436
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スパッタリング作業の不安定を来たことなく、優れた性能の高屈折率透明ITO膜を安定して得ることのできるITO焼結タ-ゲットを実現する。【構成】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とし、かつゲルマニウム成分を配合した粉末冶金原料を酸素雰囲気中で焼結することにより、1〜15wt%の酸化ゲルマニウムを含有すると共に、密度D(g/cm3)とバルク抵抗値ρ(mΩcm)がa) 5.50 ≦ D ≦ 7.23 ,b) -0.333D+2.742 ≧ ρ ≧ -0.283D+2.057 ,なる2つの式を同時に満たすITOタ-ゲットを製造する。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて製造されたITOスパッタリングタ-ゲットであって、1〜15wt%の酸化ゲルマニウムを含有すると共に、密度D(g/cm3)とバルク抵抗値ρ(mΩcm)が下記2つの式を同時に満たして成るITOスパッタリングタ-ゲット。a) 5.50 ≦ D ≦ 7.23 ,b) -0.333D+2.742 ≧ ρ ≧ -0.283D+2.057 。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  B22F 3/00 ,  B22F 5/00