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J-GLOBAL ID:200903088328791820

金属-炭素複合粉体、該粉体の製造方法、及び該粉体から製造される装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000570092
Publication number (International publication number):2003528419
Application date: Aug. 26, 1999
Publication date: Sep. 24, 2003
Summary:
【要約】金属-炭素複合体粉体及び金属-炭素複合体粉体をつくりための方法。この粉体はよく制御された微小構造と形状、そして好ましくは小さな平均粒径を有している。この方法は粉体前駆体のエアロゾルから粒子をつくりだすステップを含む。本発明はこの複合体粉体で形成される新しい装置と製品も含んでいる。
Claim (excerpt):
金属-炭素複合体粒子の粉体バッチにおいて、少なくとも3重量パーセントの炭素と金属相によって構成され、前記複合体粒子がほぼ球状で、約0.1μmから約20μmの重量平均粒径を有していることを特徴とする粉体バッチ。
IPC (10):
H01B 5/00 ,  B22F 1/00 ,  B22F 9/24 ,  C01B 31/02 101 ,  C09D 11/02 ,  H01B 1/20 ,  H01M 4/88 ,  H01M 4/92 ,  H01M 12/06 ,  H01M 8/10
FI (10):
H01B 5/00 F ,  B22F 1/00 K ,  B22F 9/24 E ,  C01B 31/02 101 A ,  C09D 11/02 ,  H01B 1/20 A ,  H01M 4/88 K ,  H01M 4/92 ,  H01M 12/06 F ,  H01M 8/10
F-Term (85):
4G146AA01 ,  4G146AA16 ,  4G146AB02 ,  4G146AC07A ,  4G146AC08A ,  4G146AC09A ,  4G146AC10A ,  4G146AD23 ,  4G146BA03 ,  4G146BA38 ,  4G146BB10 ,  4G146BC02 ,  4G146BC33B ,  4J039AB02 ,  4J039AD08 ,  4J039AD10 ,  4J039AE06 ,  4J039AE08 ,  4J039BA02 ,  4J039BA06 ,  4J039BC07 ,  4J039BC15 ,  4J039BC16 ,  4J039BC20 ,  4J039BC35 ,  4J039BC56 ,  4J039BE12 ,  4J039BE23 ,  4J039BE29 ,  4J039CA08 ,  4J039EA24 ,  4J039GA10 ,  4J039GA24 ,  4K017AA02 ,  4K017BB02 ,  4K017CA01 ,  4K017CA07 ,  4K017DA09 ,  4K017EJ01 ,  4K018BA01 ,  4K018BB03 ,  4K018BB04 ,  4K018BD10 ,  5G301DA02 ,  5G301DA03 ,  5G301DA11 ,  5G301DA12 ,  5G301DA18 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DD10 ,  5G307AA08 ,  5H018AS03 ,  5H018BB08 ,  5H018BB12 ,  5H018EE03 ,  5H018EE05 ,  5H018EE06 ,  5H018HH01 ,  5H018HH02 ,  5H018HH05 ,  5H018HH08 ,  5H026AA02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026CX05 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE06 ,  5H026HH01 ,  5H026HH02 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08 ,  5H032AA01 ,  5H032AS03 ,  5H032AS11 ,  5H032AS12 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE15 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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