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J-GLOBAL ID：200903088336971683

基板に埋込み金属を形成する方法

Inventor： ウィリアム・ジョーゼフ・コート ,  ペイ=イン・ポール・リー ,  トーマス・エドウィン・サンドウィック ,  ベルンド・ミハエル・フォルマー ,  ヴィクター・ヴィノリウス ,  スチュアート・ハワード・ウルフ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016123
Publication number (International publication number)：1994084826
Application date： Feb. 03, 1993
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、硬質保護耐熱金属でキャップした軟質低抵抗率金属を有する埋込み導線およびバイアを製造することである。【構成】 導電性バイアおよび線を3段階プロセスで形成する。まず、誘電体10のトレンチまたはバイア中に、軟質低抵抗率金属(12)を、誘電体(10)の上面より下の点まで付着する。次に、CVDタングステンなどの硬質金属(16)で低抵抗率金属(12)を被覆する。最後に、化学機械式研磨によって構造を平面化する。硬質金属(16)は、低抵抗率金属が粗い化学機械式研磨スラリに当たると通常発生するひっかき傷や腐食から低抵抗率金属を保護する働きをする。

Claim (excerpt)：

基板内のトレンチまたはホール中に、低抵抗率の軟質金属または合金を、前記軟質金属または合金が、前記トレンチまたはホール中に付着された、前記基板表面より下に位置する第1の部分と、前記基板の表面上に付着された第2の部分とに分離されるのに十分な温度で、着するステップと、前記軟質金属または合金の上に硬質金属または合金を付着するステップと、前記基板を研磨して、前記トレンチまたは前記ホール中に形成された線またはバイアを、それぞれ前記基板の前記表面に対して平面化するステップとを含む、基板に埋込み金属を形成する方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭61-284937
  
• 特開平1-234657
  
• 特開昭63-037627
  
• 特開昭64-055845
  
• 特開昭58-110673
  
• 特開昭62-102545
  
• 特開平1-266719
  
• 特開平2-083978