Pat

J-GLOBAL ID：200903088337794505

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 大畑 豊治 ,  小川 正道 ,  根本 和彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992262259
Publication number (International publication number)：1994005984
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レーザ光を基板の主面に対して垂直な方向に取り出す面発光レーザにおいて、分布反射型多層膜を用いて低しきい値で且つ高出力化が可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【構成】 分布反射型多層膜2を有する化合物半導体基体1上に、少なくとも活性層5及びクラッド層4、6が形成され、少なくとも活性層5の側面8A及び8Bを{110}結晶面として構成する。

Claim (excerpt)：

分布反射型多層膜を有する化合物半導体基体上に、少なくとも活性層及びクラッド層が形成され、少なくとも上記活性層の側面が{110}結晶面より成ることを特徴とする半導体レーザ。