Pat
J-GLOBAL ID:200903088348263129

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993033650
Publication number (International publication number):1994252146
Application date: Feb. 23, 1993
Publication date: Sep. 09, 1994
Summary:
【要約】【目的】配線抵抗を下げ、ボンディング性を向上させ、さらにはエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーション耐性を向上させた、より信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】配線材料として、タングステンを主成分としたタングステン-アルミニウム合金、またはタングステン-シリコン合金、またはタングステン-シリコン-アルミニウム合金や、さらに銅を主成分とした銅-アルミニウム合金、または銅-シリコン合金、または銅-シリコン-アルミニウム合金を用いる。Si基板101に酸化膜の二酸化珪素(SiO2)102を形成し、フォトエッチングによりコンタクト開孔部を設ける。次にスパッタにより全面にチタンタングステン(TiW)103を形成し、その上層にタングステン(W)-1%アルミニウム(Al)合金膜等104を形成し、フォトエッチングによりパターンを形成する。
Claim (excerpt):
タングステン(W)を主成分とするタングステン(W)-アルミニウム(Al)合金、またはタングステン(W)-シリコン(Si)合金、またはタングステン(W)-シリコン(Si)-アルミニウム(Al)合金から選択される1合金を材料として、配線層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

Return to Previous Page