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J-GLOBAL ID：200903088352438529

半導体結晶の製造方法およびこれを利用する製造装置

Inventor： 土田 秀一 ,  鎌田 功穂 ,  直本 保 ,  泉 邦和
Applicant, Patent owner： 財団法人電力中央研究所
Agent (1)： 村瀬 一美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999304642
Publication number (International publication number)：2001122692
Application date： Oct. 26, 1999
Publication date： May. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 サセプタ表面のエッチング作用による不純物放出やコーティング膜の劣化を防止すると共に単結晶基板の結晶湾曲を改善する。【解決手段】 誘導加熱手段2と、該誘導加熱手段2により誘導加熱される固体輻射部材3と、該固体輻射部材3により加熱されると共に反応ガス6が供給されて表面5に単結晶膜が製造される単結晶基板4とを備える半導体結晶の製造装置1において、固体輻射部材3に対し間隔をあけて設置されると共に、単結晶基板4が固体輻射部材3からの固体輻射熱により加熱されるように単結晶基板4を固体輻射部材3に対し間隔をあけて支持する基板支持手段7を備える。

Claim (excerpt)：

誘導加熱手段により固体輻射部材を誘導加熱して、前記固体輻射部材に対し間隔をあけて設置される基板支持手段によって前記固体輻射部材に対し間隔をあけて支持される単結晶基板を前記固体輻射部材からの固体輻射熱により加熱すると共に、前記単結晶基板の表面に反応ガスを供給することによって、前記単結晶基板の表面に前記反応ガスの成分元素あるいは化合物を連続して析出成長させ単結晶膜を製造することを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 25/10 ,  C30B 25/12 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B 25/10 ,  C30B 25/12 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

F-Term (28)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EG03 ,  4G077EG16 ,  4G077TE02 ,  4G077TF05 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045DP16 ,  5F045DQ04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB08 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EK02 ,  5F045EK25 ,  5F045EK30 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045GB11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-241415