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J-GLOBAL ID：200903088358000240
半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016313
Publication number (International publication number)：1998215031
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】青色半導体レーザとして、サファイア基板の上に、GaNを中間層として用い、その上にGaNをベースにした、クラッド層、活性層などからなる発光部を形成する方法が知られている。この時反射面(共振面)を生成する方法としてエッチング法が用いられている。この方法の問題点は、反射面が完全な鏡面とはならず、表面には微細な凹凸ができ共振効率が低下することである。その結果、レーザ発振のためのしきい値電流が大きくなる。本発明の課題は半導体レーザ発振のための高い反射率を有する反射面を提供ししきい値電流を下げることである。【解決手段】サファイア等基板等のへき開が困難な基板と所望の発光素子層との間に、AlN(窒化アルミニウム)等から成る中間層を形成する。その後、共振器を構成する層の下の部分を選択的にエッチングすることにより削り取る。その結果共振器の一部は物理的にサファイア基板から浮きあがる。この浮き上がった共振器を超音波法あるいはブレ-ドを当てるなどの従来方法でへき開する。
Claim (excerpt)：
へき開が困難な基板上に形成された、選択エッチング可能な中間層、およびへき開可能な単層膜結晶または多層膜結晶を有する半導体素子において、該単層膜結晶または多層膜結晶の下に位置する該中間層を選択エッチングすることにより、該単層膜結晶または多層膜結晶を片もち梁状に浮かし、該単層膜結晶または多層膜結晶をへき開することにより形成される共振器を有する半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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