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J-GLOBAL ID：200903088359118716
単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハ
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997310518
Publication number (International publication number)：1999147797
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 単結晶基板上に良好な格子整合性でエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル膜内の結晶欠陥を大幅に低減する。【解決手段】 この発明の単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハは、単結晶基板を、アルミニウム(Al)とストロンチウム(Sr)を含むペロブスカイト型立方晶(?@〜?D)で構成し、その単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させて成る、ことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハにおいて、上記単結晶基板を、アルミニウム(Al)とストロンチウム(Sr)を含むペロブスカイト型立方晶で構成し、その単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させて成る、ことを特徴とする単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハ。
IPC (6)：
C30B 29/38
, H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
C30B 29/38 D
, H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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