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J-GLOBAL ID:200903088381999963
半導体製造装置用ヒータモジュール
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 正緒
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002163747
Publication number (International publication number):2004014655
Application date: Jun. 05, 2002
Publication date: Jan. 15, 2004
Summary:
【課題】半導体製造装置の大型化やコスト増を伴うことなく、加熱後のヒータの冷却速度を従来よりも格段に高めることができ、生産性の改善向上に寄与し得るヒータモジュール、及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。【解決手段】ヒータモジュールは、表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部1aと、ヒータ部1aに対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部1aの裏面に当接又は分離してヒータ部1aとの合計熱容量を変えるためのブロック部3aとを備えている。ブロック部1bの熱容量をヒータ部1aとブロック部1bの合計熱容量の20%以上とすることで、ヒータ冷却速度を10°C/分以上にすることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部と、ヒータ部に対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部の裏面に当接又は分離してヒータ部との合計熱容量を変えるためのブロック部とを備えることを特徴とする半導体製造装置用ヒータモジュール。
IPC (3):
H01L21/205
, C23C16/46
, H01L21/3065
FI (3):
H01L21/205
, C23C16/46
, H01L21/302 101G
F-Term (12):
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030GA02
, 4K030KA23
, 4K030KA26
, 4K030KA46
, 5F004AA16
, 5F004BB32
, 5F004BD04
, 5F045AA03
, 5F045BB08
, 5F045EJ06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
半導体ウェハの補強方法及び補強された半導体ウェハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-222459
Applicant:住友電気工業株式会社
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基板加熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-332809
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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