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J-GLOBAL ID：200903088383587123

半導体装置の製造方法

Inventor： 福田 誠一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997098282
Publication number (International publication number)：1998284592
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 配線間にスペースギャップを有する半導体装置を製造する際に、スペースギャップ(空間)の容積と形状とを高い制御性で形成できるようにする。【解決手段】 配線ベース1上に形成された配線2の間隙2aに蒸発性材料3を装填し、その上に絶縁膜4を形成し、その後で絶縁膜4の下の蒸発性材料3を除去することにより配線2間にスペースギャップ5を形成する。

Claim (excerpt)：

配線ベース上に形成された配線の間隙に蒸発性材料を装填し、その上に絶縁膜を形成し、その後で絶縁膜の下の蒸発性材料を除去することにより配線間にスペースギャップを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。