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J-GLOBAL ID：200903088388787902

半導体レーザ素子

Inventor： 河合 孝博
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996079764
Publication number (International publication number)：1997275239
Application date： Apr. 02, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高出力動作時に端面劣化が無く長期安定動作する半導体レーザ素子を歩留まり良く提供すること。【解決手段】 一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、共振器端面に界面準位又は界面ダメージが小さい第1の誘電体単層膜18及び19を形成し、第1の誘電体単層膜上に化学的及び熱的に安定な第2の誘電体単層膜20又は誘電体多層膜21及び22を形成する。

Claim (excerpt)：

一対の共振器端面を有する半導体レーザ素子において、少なくとも一つの共振器端面に形成され界面準位又は界面ダメージが小さい第1の誘電体単層膜と、該第1の誘電体単層膜上に形成され化学的及び熱的に安定な第2の誘電体膜とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/133

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/133

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-253087
  
• 特開平3-119781
  
• 特開昭54-126488
  
• 特開昭62-238678