Pat
J-GLOBAL ID：200903088403611395
パターン形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996306123
Publication number (International publication number)：1997114097
Application date： Jan. 30, 1990
Publication date： May. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 1.0μm以下特に0.5μm以下の微細パターンをエキシマレーザのような遠紫外光を用いた露光により基板上に形成するに際して、パターン形成材料と基板との密着性不足に起因するパターンはがれが生じる。【解決手段】 疎水化処理の施された基板上に、酸雰囲気下でアルカリ可溶性となる官能基と親水基を有する共重合体、スルホニル化合物を含有し露光により酸を発生する感光性化合物、共重合体及び感光性化合物を溶解可能な溶媒とを含むパターン形成材料膜2を形成する工程と、エキシマレーザ4によりパターン形成材料膜を選択的に露光する工程と、パターン形成材料膜を現像液により現像してパターンを形成する工程とを備え、特に上記の感光性化合物が特定のスルホニル化合物である構成となっている。
Claim (excerpt)：
疎水化処理の施された基板上に、酸雰囲気下でアルカリ可溶性となる官能基と親水基を有する共重合体、スルホニル化合物を含有し露光により酸を発生する感光性化合物、前記共重合体及び前記感光性化合物を溶解可能な溶媒とを含むパターン形成材料膜を形成する工程と、遠紫外線により前記パターン形成材料膜を選択的に露光する工程と、前記パターン形成材料膜を現像液により現像し前記パターン形成材料膜の露光された部分を除去して0.5μm以下の幅を有するパターンを形成する工程とを備え、前記スルホニル化合物が、【化1】であることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26
, H01L 21/027
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26
, H01L 21/30 502 R
