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J-GLOBAL ID：200903088413286115

半導体受光装置及びその製造方法

Inventor： 山本 陽祐
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991359799
Publication number (International publication number)：1993175539
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 遮光マスクによる、受光部以外に入射する光の反射光をレーザ,光ファイバ等へ戻さない半導体受光装置を得ること。【構成】 遮光マスク30の表面に凹凸を設け、受光部以外に入射する光20を乱反射させるようにした。【効果】 遮光マスクによる反射光を抑え、光信号ノイズを防止することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型基板上に、第1導電型バッファ層,光吸収層,窓層を有し、さらに該窓層と光吸収層の一部を選択的に第2導電型に反転されてなる領域を有する半導体受光装置において、上記第1導電型窓層及び窓層の第2導電型領域の一部を覆うように形成された、開口部を有する誘電体膜と、上記誘電体膜上に形成され、上記窓層の第2導電型領域の一部に接する電極と、上記誘電体膜上に形成され、上記電極に対して絶縁された遮光用マスク層とを備え、上記遮光用マスク層は、その表面に凹凸を有することを特徴とする半導体受光装置。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-220782
  
• 特開平3-227073
  
• 特開昭63-211686