窒化チタン膜形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：永井冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996005239
Publication number (International publication number)：1996337875
Application date： Jan. 16, 1996
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【課題】 TiN層に内包された不純物の量を減少させ、これにより比抵抗値を減少させる、即ち、不純物の含量が小さくとても緻密な薄膜の特性を示し、大気中放置時時間の経過による比抵抗の増加率が極めて低く電気的安定性が優秀なTiN層を形成できる窒化チタン(TiN)膜形成方法を提供する。【解決手段】本発明は半導体素子でアルミニウムのバリヤメタル及びタングステンのグルーレイヤ(Glue layer)として主に使用する窒化チタン(TiN)層の特性を向上させる窒化チタン(TiN)膜形成方法に関するもので、ソース物質からTiN膜を形成する第1工程;及び上記TiN膜を水素及び窒素プラズマガスに露出させる第2工程を包含してなる。

Claim (excerpt)：

ソース物質からTiN膜を形成する第1工程;及び、前記TiN膜を水素及び窒素のプラズマガスに露出させる第2工程を包含してなることを特徴とするTiN膜形成方法。

IPC (5)：

C23C 16/34 , C23C 14/06 , C23C 16/56 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (5)：

C23C 16/34 , C23C 14/06 A , C23C 16/56 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

薄膜の形成方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-271024 Applicant：住友金属工業株式会社
特開平3-135018

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