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J-GLOBAL ID：200903088427562123

トランス

Inventor： 大坪 睦泰 ,  国谷 佳弘 ,  松村 勝己 ,  広岡 裕
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997129260
Publication number (International publication number)：1998321443
Application date： May. 20, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部の厚さを薄くしても、磁束の流れを妨げない、磁気飽和の発生を抑制したトランスを提供することを目的としている。【解決手段】 閉磁路磁芯18は、第1の貫通孔12および第2の貫通孔14に挿入する中足部19と、中足部19を支持する平板部20と、側足部21を有し、中足部19の断面形状を楕円形状にしたE型形状磁芯を2つ組み合わせるとともに、中足部19に対向する平板部20の中足対向部28の側面外周表面積30を中足部19の断面積以下にし、かつ平板部20の断面積の2倍以上にした構成である。

Claim (excerpt)：

端子を植設するとともに、第1の貫通孔を有した端子台と、前記端子台上に配置するとともに、第2の貫通孔を有した巻枠と、前記巻枠に巻回するとともに、前記端子と接続した第1の巻線と、前記第1の巻線の外側に巻回するとともに、前記端子と接続した第2の巻線と、前記第1の貫通孔および前記第2の貫通孔に挿入した閉磁路磁芯とを備え、前記閉磁路磁芯は、前記第1の貫通孔および前記第2の貫通孔に挿入する中足部と、前記中足部を支持する平板部とを有し、前記中足部の断面形状を楕円形状にするとともに、前記中足部に対向する前記平板部の中足対向部の側面外周表面積を前記中足部の断面積以下にし、かつ前記平板部の断面積の2倍以上にしたトランス。

IPC (3)：

H01F 30/00 ,  H01F 17/06 ,  H01F 27/255

FI (4)：

H01F 31/00 A ,  H01F 17/06 F ,  H01F 27/24 D ,  H01F 31/00 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭58-095804
  
• トランス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-129261   Applicant：松下電器産業株式会社