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J-GLOBAL ID：200903088445862983

面発光半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 大坪 孝二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001009003
Publication number (International publication number)：2002217492
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高効率で熱抵抗が低く、波長1μm以上のレーザの発振に適した面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】第1の格子定数の第1の半導体からなる基板の表面上に、下部多層ミラーが配置されている。下部多層ミラーは、第2の半導体が酸化された第1の層と、第3の半導体からなる第2の層とが交互に積層された積層構造を有する。下部多層ミラーの上に、第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有する第4の半導体からなる歪緩和層3が配置されている。歪緩和層3の上に活性層12が配置されている。活性層12は、第1及び第2の格子定数とは異なる第3の格子定数を有する第5の半導体からなる発光領域を含む。活性層12の上に上部多層ミラーが配置されている。

Claim (excerpt)：

第1の格子定数の第1の半導体からなる基板と、前記基板の表面上に配置され、第2の半導体が酸化された第1の層と、第3の半導体からなる第2の層とが交互に積層された下部多層ミラーと、前記下部多層ミラーの上に配置され、前記第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有する第4の半導体からなる歪緩和層と、前記歪緩和層の上に配置され、前記第1の格子定数とは異なる第3の格子定数を有する第5の半導体からなる発光領域を含む活性層と、前記活性層の上に配置された上部多層ミラーとを有する面発光半導体レーザ装置。

F-Term (9)：

5F073AA42 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA02 ,  5F073EA29