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J-GLOBAL ID：200903088458824398

II-VI族化合物半導体装置

Inventor： 松本 卓
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993013364
Publication number (International publication number)：1994232452
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 セレン化硫化亜鉛を含有するII-VI族化合物半導体装置の電極に対して、オーミック性の良好な電極形成法を可能とする。【構成】 セレン化硫化亜鉛を含有する半導体装置において、ZnSSe結晶上にSiあるいはGeのIV族半導体の内より下地ZnSSe結晶とより格子整合する1種を積層し、該IV族半導体バッファ層上に金属電極が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体によりオーミック性の良好な電極が形成可能となる。

Claim (excerpt)：

セレン化硫化亜鉛を含有する半導体装置において、ZnSx Se1-x (0≦x≦0.5)結晶上にSiバッファ層が積層され、このSiバッファ層上に金属電極が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/363