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J-GLOBAL ID：200903088464077880

圧電薄膜素子

Inventor： 岡 史人 ,  柴田 憲治
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 油井 透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007211456
Publication number (International publication number)：2009049065
Application date： Aug. 14, 2007
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：

【課題】(K,Na)NbO3を主相とした優れた圧電特性を有する圧電薄膜を得ることにより、圧電特性を大きく向上させることを可能とする圧電薄膜素子を提供する。【解決手段】基板1上に下部電極2、圧電薄膜3を順次配置して構成された圧電薄膜素子において、圧電薄膜3は(K,Na)NbO3を主相とするペロブスカイト構造の誘電体薄膜からなり、下部電極2と圧電薄膜3との間に、圧電薄膜3に接して、格子定数が4.036Å以上の擬立方晶または立方晶のペロブスカイト構造を有する中間層4が挿入されていることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極、圧電薄膜を順次配置して構成された圧電薄膜素子において、 前記圧電薄膜は(K,Na)NbO3を主相とするペロブスカイト構造の誘電体薄膜からなり、 前記下部電極と前記圧電薄膜との間に、前記圧電薄膜に接して、格子定数が4.036Å以上の擬立方晶または立方晶のペロブスカイト構造を有する中間層が挿入されていることを特徴とする圧電薄膜素子。

IPC (4)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/24

FI (5)：

H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 圧電体薄膜素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-348009   Applicant：三菱電機株式会社