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J-GLOBAL ID：200903088467782312

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 澤田 和幸 ,  奥村 智洋 ,  山田 雄一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030191
Publication number (International publication number)：1997223672
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】 成膜速度やエッチング速度等の処理速度の均一化を図る。【解決手段】 反応室1内下部の下部電極5上に基板7を設置し、反応室1上面に設置された誘電板2とその下に設置した少なくとも2つ以上の孔13を有する誘電体製のガス分散板12との間の空間に反応室1の側面に設けられたガス導入孔14から反応ガスを導入し、ガス分散板12より下方の反応室1の側面に設けられたガス排気孔11から排気し、誘電板2上に設置された誘導コイル3に高周波電力を印加し、ガス分散板12と下部電極5の間でプラズマを生成して下部電極5上に設置した基板7を処理することにより、ガス分散板12にて下部電極5上の基板7に当たる反応ガスを均一化し、成膜速度やエッチング速度の均一性を向上するようにした。

Claim (excerpt)：

反応室内下部の下部電極上に基板を設置し、反応室上面に設置された誘電板とその下に10mm以下の間隔で設置した少なくとも2つ以上の孔を有する誘電体製のガス分散板との間の空間に反応室の側面に設けられた反応ガス導入孔から反応ガスを導入し、ガス分散板より下方の反応室の側面に設けられたガス排気孔から排気し、反応室内の圧力を10mTorr以上に調整し、誘電板上に設置された誘導コイルに高周波電力を印加し、ガス分散板と下部電極の間でプラズマを生成して下部電極上に設置した基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 B