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J-GLOBAL ID：200903088477037429

プラズマエッチング装置

Inventor： 小林 金也 ,  田子 一農 ,  吉岡 健 ,  加治 哲徳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995032331
Publication number (International publication number)：1996225961
Application date： Feb. 21, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】不純物の混入等によりウエハに悪影響を及ぼすことなく、エッチング性能の経時変化を抑止できるプラズマエッチング装置を提供する。【構成】プラズマ発生室3の壁は金属Alであるチャンバー壁4で構成されている。チャンバー壁4は表面が切り抜かれて凹み4Aが形成されており、この凹み4AにSiO2で構成された壁内側材料11が填め込まれている。この填め込まれている場所は、ECR位置7から高さ方向に約10cm程度の範囲となっている。これにより、プラズマ6内のガス解離種との反応性が小さくなって化学吸着が起こりにくくなり、壁内側材料11の吸着特性変化によるプラズマ6内の解離種の組成変化が防止され、エッチング性能を良好に維持し経時変化を抑止する。

Claim (excerpt)：

電磁波とガスとが導入される反応室内に前記ガスの解離種を含むプラズマを発生させ、この発生したプラズマを用いてエッチングを行うプラズマエッチング装置において、前記反応室の壁は、少なくとも内表面の一部が、イオン化ポテンシャルが大きく電子親和力が小さい酸化物で構成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。