Pat
J-GLOBAL ID：200903088483593244

化粧料

Inventor：
中西 鉄雄

About 中西 鉄雄

, 
小野 猪智郎

About 小野 猪智郎


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 滝田 清暉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000169265
Publication number (International publication number)：2001055307
Application date： Jun. 06, 2000
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 一般の化粧料原料との相溶性に優れ、化粧持ちの良い化粧料を提供すると共に、皮脂の汚れだけでなく、化粧崩れしにくい化粧料によるメイクアップ汚れに対しても優れた洗浄効果が得られる上、洗浄中及び洗浄後の感触が極めて良好な、乳化安定性に優れた化粧料の提供。【解決手段】 下記一般式(1)で表されるシリコーン化合物を配合してなる化粧料。R1aR2bSiO(4-a-b)/2 (1)但し、式中のR1は水素原子または炭素数1〜30のアルキル基、アリール基、アラルキル基及びフッ素置換アルキル基及び下記一般式(2)-CcH2c-O-(C2H4O)d(C3H6O)eR3 (2)で表される有機基から選択される同種あるいは異種の有機基。R3は炭素数4〜30の炭化水素基又はR4-(CO)-で表される有機基、R4は炭素数1〜30の炭化水素基。R2は下記一般式(3)で表されるシリコーン化合物。
Claim (excerpt)：
下記一般式で表されるシリコーン化合物を配合してなる化粧料。 R1aR2bSiO(4-a-b)/2 (1)但し、式中のR1は水素原子または炭素数1〜30のアルキル基、アリール基、アラルキル基、フッ素置換アルキル基、及び下記一般式 -CcH2c-O-(C2H4O)d(C3H6O)eR3 (2)で表される有機基から選択される同種あるいは異種の有機基であって、R3は炭素数4〜30の炭化水素基又はR4-(CO)-で表される有機基、R4は炭素数1〜30の炭化水素基である。また、R2は下記一般式で表されるシリコーン化合物である。a、bはそれぞれ1.0≦a≦2.5、0.001≦b≦1.5である。c、d、eはそれぞれ0≦c≦15、0≦d≦50、0≦e≦50の整数であり、f、gはそれぞれ1≦f≦5、0≦g≦500の整数である。
IPC (8)：
A61K 7/00 ,  A61K 7/02 ,  A61K 7/025 ,  A61K 7/032 ,  A61K 7/06 ,  A61K 7/32 ,  A61K 7/42 ,  A61K 7/48
FI (15)：
A61K 7/00 J ,  A61K 7/00 C ,  A61K 7/00 M ,  A61K 7/00 N ,  A61K 7/00 Q ,  A61K 7/00 R ,  A61K 7/00 S ,  A61K 7/02 ,  A61K 7/02 A ,  A61K 7/025 ,  A61K 7/032 ,  A61K 7/06 ,  A61K 7/32 ,  A61K 7/42 ,  A61K 7/48
F-Term (61)：
4C083AA082 ,  4C083AA122 ,  4C083AB032 ,  4C083AB051 ,  4C083AB172 ,  4C083AB212 ,  4C083AB222 ,  4C083AB232 ,  4C083AB242 ,  4C083AB332 ,  4C083AB442 ,  4C083AC012 ,  4C083AC022 ,  4C083AC071 ,  4C083AC072 ,  4C083AC111 ,  4C083AC122 ,  4C083AC172 ,  4C083AC242 ,  4C083AC342 ,  4C083AC352 ,  4C083AC422 ,  4C083AC432 ,  4C083AC442 ,  4C083AC582 ,  4C083AC782 ,  4C083AD022 ,  4C083AD042 ,  4C083AD072 ,  4C083AD151 ,  4C083AD152 ,  4C083AD161 ,  4C083AD162 ,  4C083AD172 ,  4C083AD342 ,  4C083AD352 ,  4C083AD642 ,  4C083BB01 ,  4C083BB13 ,  4C083BB21 ,  4C083CC02 ,  4C083CC05 ,  4C083CC11 ,  4C083CC12 ,  4C083CC13 ,  4C083CC17 ,  4C083CC19 ,  4C083CC31 ,  4C083CC33 ,  4C083DD05 ,  4C083DD08 ,  4C083DD17 ,  4C083DD22 ,  4C083DD23 ,  4C083DD31 ,  4C083DD41 ,  4C083EE01 ,  4C083EE06 ,  4C083EE10 ,  4C083EE12 ,  4C083EE17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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