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J-GLOBAL ID：200903088488755234
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 英彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993210569
Publication number (International publication number)：1995066239
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の放熱特性を良くし、熱膨張による応力の発生を防ぐこと。【構成】 半導体チップ20の電極22、23が形成された面21を基板11上に固定された配線用導電体層12a〜12d及び基板11に導電性接着剤で接着する半導体装置において、前記導電性接着剤を導電性粒子42及びこの導電性粒子42よりも小径の熱伝導性粒子43を有する異方性導電接着剤40としたことを特徴とする半導体装置。更に、上記半導体装置において、前記基板11の熱膨張係数と前記半導体チップ20の熱膨張係数とをほぼ等しくしたこと。
Claim (excerpt)：
半導体チップの電極が形成された面を基板上に固定された配線用導電体層及び前記基板に導電性接着剤で接着する半導体装置において、前記導電性接着剤を導電性粒子及びこの導電性粒子よりも小径の熱伝導性粒子を有する異方性導電接着剤としたことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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