Pat

J-GLOBAL ID：200903088501161381

半導体デバイス解析装置

Inventor： 松本 光生
Applicant, Patent owner： 株式会社アドバンテスト
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995166875
Publication number (International publication number)：1996335610
Application date： Jun. 08, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、デバイス特性の変動推移やウエハ上のバラツキ特性や不良解析を的確迅速に判断可能なチップ特性評価解析装置を実現する。【構成】 テスト項目に対応した単一あるいは複数の評価パラメータを受けて、解析条件を初期化し、チップ個数の回数ループ実行する初期化ループ部300を設け、測定したデータベース群85datの中で、テスト項目毎の測定値85dat1を読み出して、対応する選別値232を減算して各項目毎のマージン値205を出力し、このマージン値205を複数の判定値235nで判定してランク分類した判定結果211を出力するマージン演算処理部200を設け、前記マージンデータを受けて、集計する集計部340を設け、前記で集計したデータを受けて、個々の表示形態で表示出力する。

Claim (excerpt)：

半導体試験装置から出力されるデバイス測定結果のデータを受けてデバイスの諸特性を評価する解析装置において、テスト項目に対応した単一あるいは複数の評価パラメータを受けて、解析条件を初期化し、チップ個数の回数ループ実行する初期化ループ部(300)を設け、測定したデータベース群(85dat)の中で、テスト項目毎の測定値(85dat1)を読み出して、これに対応する選別値(232)を減算して各項目毎のマージン値(205)を出力し、このマージン値(205)を複数の判定値(235n)で判定してランク分類した判定結果(211)を出力するマージン演算処理部(200)を設け、前記マージンデータを受けて、チップ毎にランク分類を集計する集計部(340)を設け、前記で集計したランク分類集計データを受けて、個々の表示形態で表示出力する表示手段を設け、以上を具備していることを特徴とした半導体デバイス解析装置。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

FI (2)：

H01L 21/66 A ,  G01R 31/26 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-151845
  
• 特開昭61-220347
  
• 特開平4-151845
  
• 特開昭61-220347