磁気抵抗効果膜

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995011354
Publication number (International publication number)：1996204253
Application date： Jan. 27, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】磁気記録媒体から磁界強度を信号として読み取るためのMR素子に関して、小さい外部磁場で抵抗変化率の大きい磁気抵抗効果膜を提供する。【構成】反強磁性体と交換結合して抗磁力を与えられた磁性層と軟磁性層とが、非磁性層を介して積層された人工格子からなる磁気抵抗効果膜において、反強磁性体を酸化物反強磁性体、反強磁性体超格子(または永久磁石膜)6とする。次に、磁性薄膜3,非磁性薄膜1,磁性薄膜4からなるサンドイッチ膜の下地として、厚さ10〜60オングストロームのbcc Fe薄膜2を挿入する。さらに、この上に反強磁性体(または永久磁石材料)7を形成して磁性薄膜4を単磁区化する。これにより、小さな外部磁場で大きな抵抗変化を示す磁気抵抗効果膜を得る。

Claim (excerpt)：

基板上に非磁性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣接する一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けてあり、前記反強磁性薄膜のバイアス磁界をHr 、前記反強磁性薄膜に隣接しない他方の軟磁性薄膜の保磁力をHc2としたとき、Hc<SB>2</SB><Hr である磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性体が、NiO,Ni<SB>x </SB>Co<SB>1-x</SB> O(x= 0.1〜0.9 ),CoOの少なくとも2つからなる超格子であり、この超格子中のNiのCoに対する原子数比が1.0以上であることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018430 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-153823
特開平4-358310

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