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J-GLOBAL ID：200903088517855626

シリコーン系ダイボンディング剤および半導体装置

Inventor： 田澤 里加子 ,  中吉 和己 ,  三谷 修 ,  峰 勝利
Applicant, Patent owner： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995219859
Publication number (International publication number)：1997048960
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体チップを基板やパッケージに接着した後、この半導体チップやリードフレームへのワイヤボンダビリティを低下させないシリコーン系ダイボンディング剤、および、これを用いた、信頼性が優れる半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)(a)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルコキシ基を含有し、ケイ素原子結合アルケニル基を含有しないオルガノポリシロキサン5〜95重量%と(b)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を含有し、ケイ素原子結合アルコキシ基を含有しないオルガノポリシロキサン95〜5重量%との混合物(B)25°Cにおける粘度が2〜20,000センチポイズであり、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を含有するオルガノポリシロキサン、(C)縮合反応用触媒および(D)白金系触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。

Claim (excerpt)：

付加反応と縮合反応により硬化する硬化性オルガノポリシロキサン組成物からなるシリコーン系ダイボンディング剤。

IPC (3)：

C09J183/07 JGH ,  C09J183/05 ,  H01L 21/56

FI (3)：

C09J183/07 JGH ,  C09J183/05 ,  H01L 21/56 E