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J-GLOBAL ID：200903088533596410

X線撮像装置

Inventor： 村木 哲彦 ,  宮口 和久
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992195599
Publication number (International publication number)：1994038950
Application date： Jul. 22, 1992
Publication date： Feb. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、被写体自身からの透過X線を正確に、かつリアルタイムでモニタできるX線撮像装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、被写体にX線を投射するX線源1と、被写体を透過したX線源1からのX線の入射により発光するシンレータ23と、シンチレータ23からの光を検出する固体撮像素子21とを備えるX線撮像装置2において、固体撮像素子21は、シンチレータ23からの光を光電変換する受光領域が表面側に形成され、第1導電型の不純物領域が裏面側に形成された第2導電型の半導体基板を有して構成され、半導体基板と不純物領域とのPN接合により構成されるフォトダイオードの光電流出力を検出してX線源からのX線の照射量をモニタするモニタ手段を備えることを特徴とする。ここで、モニタ手段の出力によりX線源の出力をコントロールする制御手段53を更に備えるX線撮像装置2としてもよい。

Claim (excerpt)：

被写体にX線を投射するX線源と、前記被写体を透過した前記X線源からのX線の入射により発光するシンレータと、前記シンチレータからの光を検出する固体撮像素子とを備えるX線撮像装置において、前記固体撮像素子は、表面側に前記シンチレータからの光を光電変換する受光領域が形成され、裏面側に第1導電型の不純物領域が形成された第2導電型の半導体基板を有して構成され、前記半導体基板と前記不純物領域とのPN接合により構成されるフォトダイオードの光電流出力を検出して前記X線源からのX線の照射量をモニタするモニタ手段を備えることを特徴とするX線撮像装置。

IPC (2)：

A61B 6/00 300 ,  H01L 27/14