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J-GLOBAL ID：200903088537037040

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 下田 浩
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349168
Publication number (International publication number)：1994204389
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 インナーリード2をアイランド1から切り離した際のインナーリード残部8がアイランド1に残留していることを特徴としている。【効果】 ICチップ5の発生熱の放熱効果を高めることができ、また種々の大きさのICチップ5、13を搭載することができるという効果がある。

Claim (excerpt)：

ICチップがアイランド上にダイボンドされ、前記ICチップ上の電極とインナーリードとがワイヤーボンディングされ、前記ICチップ回りを樹脂封止してなる半導体装置において、前記インナーリードを前記アイランドから切り離した際のインナーリード残部が、前記アイランドに残留していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/34