Pat

J-GLOBAL ID：200903088553908230

半導体レーザ素子

Inventor： 倉持 栄一 ,  須郷 満 ,  天明 二郎 ,  西谷 昭彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994210542
Publication number (International publication number)：1996056048
Application date： Aug. 10, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は一対の端面を反射鏡とした共振器により構成され、端面付近を非励起領域とした半導体レーザ素子を用いて、制御された光出力を提供する半導体レーザ素子モジュールを作製する場合において、従来レーザ素子と別個に用意する必要のあった光出力モニタ用半導体フォトダイオードを不要とする半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 一対の端面を反射鏡とした共振器により構成され、端面付近を非励起領域とした半導体レーザ素子において、リッジ部12、フォトダイオード21、絶縁部24、利得領域22、端面非励起領域23が形成されている。

Claim (excerpt)：

一対の端面を反射鏡とした共振器により構成され、端面付近を非励起領域とした半導体レーザ素子において、レーザ駆動用上部電極と電気的に独立した電極を、端面非励起領域に、前記レーザ駆動用上部電極に対してオーミック接触として形成し、前記非励起領域をフォトダイオードとしたことを特徴とする半導体レーザ素子。