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J-GLOBAL ID：200903088560180047

高周波スイッチ

Inventor： 吉井 泰
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992160127
Publication number (International publication number)：1993327447
Application date： May. 26, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 3端子を有する高周波スイッチにおいて、一端子より入力した信号のON時の通過損失を高周波で低減できるスイッチを得る。【構成】 アイソレーション用の並列FET16,17のドレイン電極とソース電極間に所用の帯域で該FETのOFF時容量と共振するようなインダクタンスL2,L1をそれぞれ装荷する構成とした。【効果】 ON時の端子間に接続される並列FETのインピーダンスはOFF時容量と装荷インダクタンスの共振により非常に大きいため、接地面への信号の漏洩が少なく、通過損失の小さい高周波スイッチが得られる。

Claim (excerpt)：

1つの入力端子と第1,第2の各出力端子間にそれぞれ設けられ、信号をON,OFFする第1,第2のFETと、該第1,第2のFETの出力側端とアース間にそれぞれ抵抗をアース側にして該抵抗と直列に接続された第3,第4のFETと、該第3,第4のFETと上記各抵抗との接続点とアース間にそれぞれ抵抗をアース側にして該抵抗と直列に接続された第5,第6のFETとを備え、上記第1,第4,第6のFETのゲートに各々高抵抗を介して第1の制御信号が印加され、上記第2,第3,第5のFETに各々高抵抗を介して第2の制御信号が印加されるよう構成されてなる,直並列スイッチの構成の高周波スイッチにおいて、上記第3,第4のFETのそれぞれのドレイン電極とソース電極間にインダクタンスを並列に接続したことを特徴とする高周波スイッチ。