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J-GLOBAL ID：200903088561580332

半導体製造装置及び成膜方法

Inventor： 野村 健二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002078505
Publication number (International publication number)：2003282660
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ウェーハ上にCVD法やスパッタ法等により成膜を行う半導体製造装置において、成膜途中の膜の特性をその場測定しうる半導体装置製造装置を提供する。【解決手段】 ウェーハ16上に所定の膜の成膜を行う成膜装置部10と、ウェーハ16へのX線の入射角度を変化する機構を有するX線源32と、ウェーハ16の面とほぼ垂直な方向に延在するX線検出器34と、ウェーハ16にX線を照射することにより発生する蛍光X線を検出するX線検出器36と、ウェーハ16の面とほぼ平行な方向に延在するX線検出器38とを有し、膜の成膜過程において膜の特性をその場測定する検査装置部30と、検査装置部30による検査結果に基づいて成膜装置部10を制御する制御装置部20とを有する。

Claim (excerpt)：

ウェーハ上に所定の膜の成膜を行う成膜装置部と、前記ウェーハへのX線の入射角度を変化する機構を有するX線源と、前記ウェーハの面とほぼ垂直な方向に延在するX線検出器とを有し、前記膜の成膜過程において前記膜の特性をX線の反射率測定によりその場測定する検査装置部と、前記検査装置部による検査結果に基づいて前記成膜装置部を制御する制御装置部とを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6)：

H01L 21/66 ,  C23C 16/52 ,  G01B 15/02 ,  G01N 23/20 ,  G01N 23/223 ,  H01L 21/205

FI (7)：

H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 L ,  C23C 16/52 ,  G01B 15/02 D ,  G01N 23/20 ,  G01N 23/223 ,  H01L 21/205

F-Term (41)：

2F067AA27 ,  2F067CC17 ,  2F067EE05 ,  2F067EE10 ,  2F067HH04 ,  2F067JJ03 ,  2F067KK01 ,  2F067KK09 ,  2F067LL13 ,  2F067LL15 ,  2F067NN05 ,  2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001BA15 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001DA01 ,  2G001DA06 ,  2G001DA08 ,  2G001KA01 ,  2G001KA08 ,  2G001KA11 ,  2G001MA05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106CB21 ,  4M106CB30 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA19 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045DP02 ,  5F045GB09 ,  5F045GB10