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J-GLOBAL ID:200903088564325317

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996026861
Publication number (International publication number):1997223734
Application date: Feb. 14, 1996
Publication date: Aug. 26, 1997
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置の高集積化に伴い、スケーリング則に従って素子を微細化すると従来のコンタクト構造では、接合耐圧が低下するということが問題となっていた。【解決手段】 この発明によれば、コンタクト4下の不純物領域9の底面が、半導体基板1内の所定の深さに形成され、不純物領域9と同導電型の不純物層6、7、及び不純物帯8の形成位置を避け、不純物濃度の低い逆導電型の不純物を含む半導体基板1に接しており、コンタクト4に電圧が印加された場合に空乏層が広がり易く、接合耐圧を向上させることが可能である。
Claim (excerpt):
第一の導電型の半導体基板、上記半導体基板内に形成された第一の導電型の不純物層、上記不純物層下部の半導体基板内に形成された第一の導電型の不純物帯、上記半導体基板の表面から所定の深さにかけて形成され、少なくとも一部が上記不純物層に接する第二の導電型の不純物領域、上記不純物領域に接して形成されたコンタクトを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/768 ,  H01L 29/78
FI (2):
H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 X
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 特開平3-171672
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-344066   Applicant:川崎製鉄株式会社
  • 特開平4-002134
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Cited by examiner (4)
  • 特開平3-171672
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-344066   Applicant:川崎製鉄株式会社
  • 特開平4-002134
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