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J-GLOBAL ID：200903088566838257

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 橋村 昌樹 ,  小西 茂輝
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002326195
Publication number (International publication number)：2004165227
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】分離後のLED素子外周におけるレーザー溶融部を減少させること。【解決手段】(a)は、レーザー走査により破線状の分離溝Lを形成した基板Sの断面の模式図である。破線状の分離溝Lは長さlL、間隔lintで形成され、台形状の断面を有する。このような破線状の分離溝Lは、一定速度で基板Sを移動させて分離線上にレーザーを走査し、レーザー照射時間と停止時間の比をlL:lintとすることにより形成される。(a)では、レーザー走査方向を矢印で示している。分離溝Lのレーサー照射方向の断面は(b)のように矩形状であっても、また、(c)のように鋭角三角形状であっても良い。lL:lintは1:8乃至1:1の比で行う。分離溝Lは、(d)のように各LED素子の4辺を囲む分離線上に2個ずつ形成しても、(e)のように各LED素子の4頂点の分離線上に十字型に2個ずつ形成しても良い。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子を分離して個々のIII族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、 分離線上のIII族窒化物系化合物半導体層のうち前記基板に近い側の電極形成層のみが残された状態、又は分離線上のIII族窒化物系化合物半導体層が無い状態とする半導体層除去工程と、 分離線に沿ってレーザービームを走査して破線状又は点線状の分離溝を形成するレーザー走査工程とを有し、 分離線に沿ってレーザービームの走査により形成された破線状又は点線状の分離溝を用いて基板を素子ごとに分離して個々のIII族窒化物系化合物半導体素子とすることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L33/00 ,  B23K26/00 ,  H01L21/301

FI (6)：

H01L33/00 C ,  B23K26/00 D ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 V

F-Term (8)：

4E068AD01 ,  4E068CG03 ,  4E068DA10 ,  5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76