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J-GLOBAL ID：200903088568830300
半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178398
Publication number (International publication number)：1993029702
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、半導体レーザに関し、半導体レーザの共振器長が短くなった場合にも、上面電極や下面電極が保護膜で覆われることなく、良好なワイヤボンディングやダイボンディングを行うことができる半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】半導体基板12上に形成された共振器14の端面が劈開面である半導体レーザ10において、共振器14の端面における活性層13の近傍のみが保護膜20、22により覆われるように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された共振器の端面が劈開面である半導体レーザにおいて、前記共振器の端面における活性層の近傍のみが保護膜により覆われていることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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