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J-GLOBAL ID：200903088589637674
プラズマCVD方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
坂間 暁 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293119
Publication number (International publication number)：1995147243
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：
【要約】【目的】 太陽電池、トランジスタ、センサ、等の大面積薄膜の高速成膜に適したプラズマCVD方法に関し、膜厚分布が均一で、成膜速度を速める。【構成】 反応容器1内には放電電極2、接地電極3があり、その間に基板13が電界と直交して配置され、導入管11より反応ガス(モノシランガス)が供給される。高周波電源4より電極2,3間へ電力が供給され、位相可変2出力発振器16より互に直交する2対のソレノイドコイル101及び102により磁界が印加される。この状態で電極2,3間にグロー放電プラズマが発生し、プラズマ中のSiは電極面と平行な面で回転磁界の作用で基板13に一様に薄膜を形成するが、この磁界強度を電極の中心部で最小とし、電極中心より離れるに従って強くするように発生させ、プラズマ中の電子を閉じ込めて反応容器1の内壁での電子の再結合を防ぎ、プラズマ密度の低下を防止し、成膜速度を速める。
Claim (excerpt)：
反応容器と、この反応容器に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源と、前記放電用電極間の電界に直交し、かつ互に直交する方向に軸芯をもつように反応容器を挟んで設置された2対のソレノイドコイルと、これらのソレノイドコイルに磁界発生用電力を供給する交流電源とを有し、前記放電用電極間の電界に直交するように基板を支持してなるプラズマCVD装置を用いて、前記反応容器内に反応ガスを供給し、前記2対のソレノイドコイルで磁界を発生させると共に前記放電用電極間にグロー放電プラズマを発生させ、前記基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD方法において、前記2対のソレノイドコイルから発生する磁界を前記放電用電極間の電界に直交し、かつ互いに直交する2つの方向に、前記放電用電極のほぼ中心で磁界強度が最小となるように印加することを特徴とするプラズマCVD方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 14/34
, C23F 4/00
