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J-GLOBAL ID：200903088599809449

半導体レーザ

Inventor： 勝山 造
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161794
Publication number (International publication number)：1993013884
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体レーザに関するものであり、特に0.9〜1.1μm帯半導体レーザに関するものである。【構成】 本発明の半導体レーザは、光導波層がGaInAs量子井戸層6a,6b,6c,6dとこれを隔てる障壁層5a〜5cを有する活性層と、この活性層を上下から挟む光閉込め層4,7とからなり、光閉込め層4,7が燐を含みバンドギャップがGaAsよりも大きい化合物半導体材料、例えば(Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>)<SB>Z </SB>In<SB>1-Z </SB>P(0≦y<1)で形成されている。したがって、従来のGaAs/GaInAs材料系と比較し、より大きなバンドギャップ差を得ることができ、半導体レーザの高効率化および高出力化が実現できる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に形成される半導体レーザにおいて、光導波層がGaInAs量子井戸層を有する活性層と、この活性層を上下から挟む光閉込め層とからなり、前記光閉込め層が燐を含みバンドギャップがGaAsよりも大きい化合物半導体材料で形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-246879
  
• 特開昭63-197391
  
• 特開平4-234188