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J-GLOBAL ID：200903088604156440

結晶性酸化チタン薄膜の高速成膜方法

Inventor： 平岡 純治 ,  福嶋 哲弥 ,  高塩 稔 ,  道家 隆博 ,  原賀 久人
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001155844
Publication number (International publication number)：2002348665
Application date： May. 24, 2001
Publication date： Dec. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】結晶性酸化チタン薄膜の生成方法の提供【解決手段】金属チタンターゲットを用いて、スパッタリングにより、基板の上に、光触媒活性を呈する酸化チタン層を形成し、高光触媒性薄膜を形成する結晶性酸化チタン薄膜の製造方法において、1Kw以上の電力と注入エネルギー5W/cm2以上のスハ ゚ッタ装置ならびに30KW以下の電力と注入エネルギー50W/cm2以下のスハ ゚ッタ装置により、膜厚25nm以上170nm程度の触媒活性な薄膜を数十秒から数分で成膜する結晶性酸化チタン薄膜の製造方法、及び前記製造方法により作製された光触媒活性酸化チタン薄膜。

Claim (excerpt)：

太陽光または0.001〜1mW/cm2の紫外線下において、常時水または水蒸気と接触していないが、時折水または水蒸気と接触する一般の自然環境下において、その表面を水との接触角に換算して20度以下に親水化する分解特性及び親水化特性を有するアナターゼ型の結晶構造であって、膜厚25nm〜170nmの光触媒体である前記アナターゼ型の結晶構造を投入ハ ゚ワー5W/cm2〜50W/cm2の高出力スハ ゚ッタリンク ゙装置によって、全圧0.4Pa〜3.0Pa、初期基板温度140°C〜360°C、酸素分圧10〜50%の条件の範囲で制御して、スハ ゚ッタリンク ゙により高速成膜する方法であって、前記条件で成膜することを特徴とする結晶性酸化チタン薄膜。

IPC (7)：

C23C 14/34 ,  B01J 21/06 ,  B01J 33/00 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/02 301 ,  C01G 23/04 ,  C23C 14/08

FI (7)：

C23C 14/34 R ,  B01J 21/06 M ,  B01J 33/00 Z ,  B01J 35/02 J ,  B01J 37/02 301 P ,  C01G 23/04 C ,  C23C 14/08 E

F-Term (38)：

4G047CA02 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069BB02C ,  4G069BC50C ,  4G069CD10 ,  4G069DA06 ,  4G069EA07 ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069ED02 ,  4G069EE01 ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4G069FC02 ,  4G069FC06 ,  4G069FC07 ,  4G069FC09 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09