Pat

J-GLOBAL ID：200903088608432370

プラズマエッチング方法

Inventor： 石田 丈繁 ,  小松 英雄 ,  阿部 雅敏 ,  木村 泰樹
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992073408
Publication number (International publication number)：1993234956
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 多層レジストのエッチングにおいて、被エッチング多層膜の構成の如何によらず、高精度の異方性加工が可能なプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングすべき薄膜上に多層レジストマスクを形成する工程において、最下層レジスト7のエッチング中に上層レジスト5のエッチング終了による消失を検知しエッチング条件を補正し、異方性加工を行う。

Claim (excerpt)：

エッチングすべき薄膜上に多層レジストマスクを形成する工程において、最下層レジストのエッチング中に上層レジストのエッチング終了による消失を検知しエッチング条件を補正し、異方性加工を行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00