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J-GLOBAL ID：200903088609299150

電界放出カソード素子

Inventor： 伊藤 茂生 ,  大津 和佳 ,  渡辺 照男
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 脇 篤夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299106
Publication number (International publication number)：1995073800
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明はFEC素子の表面の段差を大きくすることなくエミッタとカソードとの間に局部的な抵抗を備えるFEC素子を提供すること。【構成】 本発明のFEC素子は、基板1上に不純物をドープした高抵抗値を有するアモルファスシリコンの第1の絶縁層3を形成し、この第1の絶縁層3のうちエミッタ7の形成される部分のみを、レーザによりアニールすることにより第1絶縁層3の低抵抗化を局部的に行うようにする。これにより、抵抗領域4を形成する第1絶縁層3をパターニングすることなく抵抗領域4をエミッタ7の形成される部分のみに形成することが出来るため、FEC素子の表面の段差をカソードライン2の厚さの僅かな段差だけにすることが出来る。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された複数本のストライプ状のカソードと、該カソードが形成された上記基板表面の全面に形成された第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上に第2の絶縁層を介して形成されたゲートと、該ゲートと上記第2の絶縁層に設けられた多数の開口部内であって、かつ、上記カソードの上の第1の絶縁層上にそれぞれ形成された複数のコーン状のエミッタからなるエミッタアレイとを備える電界放出カソード素子において、上記第1の絶縁層の、上記エミッタアレイが形成されている上記カソード上の部分のみ抵抗化されていることを特徴とする電界放出カソード素子。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01J 31/15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界放出型電子源及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-204350   Applicant：シヤープ株式会社