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J-GLOBAL ID：200903088638927411
不揮発性メモリー装置及び不揮発性メモリー装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992162304
Publication number (International publication number)：1993335588
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】 フローティングゲートとコントロールゲートとの間の絶縁膜の薄膜化を可能とするとともに、両ゲート間の容量は十分に確保することができる構造の不揮発性メモリー装置及びこのような不揮発性メモリーの製造方法を提供すること。【構成】 フローティングゲート31とコントロールゲート32とを備えるゲート構造を有する不揮発性メモリー装置において、フローティングゲート31とコントロールゲート32との間のゲート絶縁膜4(第2ゲート絶縁膜)の長さを、基板面方向でのゲート長さよりも長く形成したことを特徴とする不揮発性メモリー装置、及びフローティングゲート31上面を斜めに、あるいは段状等に形成することにより上記構造を形成する不揮発性メモリー装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
フローティングゲートとコントロールゲートとを備えるゲート構造を有する不揮発性メモリー装置において、フローティングゲートとコントロールゲートとの間のゲート絶縁膜の長さを、基板面方向でのゲート長さよりも長く形成したことを特徴とする不揮発性メモリー装置。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
