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J-GLOBAL ID：200903088640250216

半導体多層構造

Inventor： 土屋 朋信 ,  谷渡 剛 ,  河野 敏弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992235628
Publication number (International publication number)：1994085387
Application date： Sep. 03, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】歪層を有する半導体レーザに於いて、劈開時での不良を低減する。【構成】活性層の平均的歪量がプラス歪の場合には、ガイド層もしくは、ガイド層の活性層近傍のみをマイナス歪にし、活性層がマイナス歪の場合には、ガイド層もしくは、ガイド層の活性層近傍のみをプラス歪とし、歪層の膜厚を臨界膜厚以下とする。【効果】ガイド層、もしくはガイド層の活性層近傍を活性層とは逆方向の歪を加えることにより、界面での応力を緩和し、劈開面での段差等の不良を減少することができる。

Claim (excerpt)：

基板と格子定数の異なる歪井戸層、もしくは歪障壁層を有する活性層と前記活性層に隣接するガイド層を有する半導体多層構造に於いて、前記活性層の平均的歪量がプラス歪の場合には、前記ガイド層もしくは、前記ガイド層の前記活性層の近傍のみをマイナス歪にし、前記活性層がマイナス歪の場合には、前記ガイド層もしくは、前記ガイド層の前記活性層近傍のみをプラス歪にすることを特徴とする半導体多層構造。