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J-GLOBAL ID：200903088643125358
光起電力素子およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995278991
Publication number (International publication number)：1997129904
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 変換効率および光閉じ込め性能が向上した光起電力素子、およびこれらの量産性に優れた製造方法を提供する。【解決手段】 対向する第1と第2の主面を有するn型単結晶シリコン基板7と、その第1の主面上に形成された真性非晶質シリコン層8と、その上に形成されたp型非晶質シリコン層9と、その上に形成された導電性薄膜3と、その上に形成された集電極4と、n型単結晶シリコン基板7の第2の主面上に形成された真性非晶質シリコン層8と、その上に形成されたn型非晶質シリコン層10と、その上に形成された導電性薄膜3と、その上に形成された裏面電極5とを備え、n型単結晶シリコン基板7の第1の主面上に形成された真性非晶質シリコン層8とp型非晶質シリコン層9と導電性薄膜3とからなる積層部の周縁部分に、少なくとも真性非晶質半導体層8に達するまでの深さを有する溝1が形成される。
Claim (excerpt)：
一導電型の結晶系半導体基板の一主面上に、他導電型の非晶質半導体層と導電性薄膜とからなる積層体を備えた光起電力素子であって、前記基板の一主面上における前記積層体の周縁部分に、少なくとも該積層体を除去した溝が形成されたことを特徴とする、光起電力素子。
FI (2)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 B
