半導体装置及びその駆動方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005149207
Publication number (International publication number)：2006332097
Application date： May. 23, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】高い精度で電子の転送が可能でより高温で動作可能であり、かつより容易に製造ができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層101と、半導体層101の表面より形成されたp型領域102と、半導体層101の表面よりp型領域102と離間して形成されたn型領域103と、半導体層101の表面に形成されたゲート絶縁層104と、p型領域102とn型領域103との間のゲート絶縁層104の上に形成されたゲート105とを備える。加えて、p型領域102とn型領域103とに挟まれた半導体層101の表面より30nm以内の領域に導入された1個の不純物106を備えている。不純物106は、p型領域102とn型領域103とに挟まれたチャネル領域に導入されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

p型の不純物が導入された半導体からなるp型領域と、 n型の不純物が導入された半導体からなるn型領域と、第1方向で前記p型領域と前記n型領域とに挾まれて配置された半導体からなるチャネル領域と、前記チャネル領域の前記第1方向に垂直な第2方向の側に配置されたゲート電極と、前記チャネル領域の前記ゲート電極の側の界面より30nmの範囲に導入された既知の個数の不純物原子とを少なくとも備え、前記不純物原子は、イオン化エネルギーが0.1eV以上であり、前記チャネル領域の中に不純物準位を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/66 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/66 S , H01L29/78 301J , H01L29/78 622

F-Term (23)：

5F110AA30 , 5F110BB13 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG33 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F140AC07 , 5F140AC20 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC17 , 5F140BD05 , 5F140BD06 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

不揮発性メモリ素子の構造とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-148793 Applicant：日本電気株式会社

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