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J-GLOBAL ID：200903088684590626

単結晶育成装置

Inventor： 大麻 正弘
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 菅 直人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993108897
Publication number (International publication number)：1994298594
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 炭化珪素等の単結晶育成装置、特に昇華法により単結晶を育成する単結晶育成装置に係り、原料部および成長部の温度および温度差を、成長中においても容易に調整することができ、炭化珪素等の単結晶を良好に育成することのできる装置を提供することを目的とする。【構成】 昇華法により単結晶を育成する単結晶育成装置において、種結晶C’を保持する支持部材9と坩堝6とを加熱炉1内に上下に対向させて配置すると共に、その支持部材9と坩堝6とを各々独立に上下動可能にかつ回転可能に構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

昇華法により単結晶を育成する単結晶育成装置において、種結晶を保持する支持部材と坩堝とを加熱炉内に上下に対向させて配置すると共に、その支持部材と坩堝とを各々独立に上下動可能にかつ回転可能に構成したことを特徴とする単結晶育成装置。

IPC (4)：

C30B 23/00 ,  C01B 31/36 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/203