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J-GLOBAL ID：200903088686441113

犠牲金属層を有する多重レベル深X線リトグラフィによる微小構造体の形成

Inventor： ヘンリー グッケル
Applicant, Patent owner： ウィスコンシン アラムニ リサーチ ファンデーション
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088578
Publication number (International publication number)：1994045232
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】〔構成〕以下の工程:(a) 支持体表面上にめっき基材を設け;(b) めっき基材上の層にフォトレジストを施こし;(c) フォトレジストに図形状に放射線暴露してフォトレジストを図形状に溶解可能にし;(d) 溶解可能なフォトレジストを除去し;(e) フォトレジストが除去された区域においてめっき基材上に第一の金属からなる第一の層を電気めっきし;(f) 残りのフォトレジストを除去し;(g) めっき基材上に第二の金属からなる第一の層を電気めっきして第一の金属からなる第一の層を被覆して取り囲み、第二の金属はこれが第一の金属をほとんど腐蝕することなく区別して腐蝕されるように選択され;(h) 第二の金属の露出表面を機械処理して第一の金属からなる第一の層を露出する選択された高さまでの平らな表面まで下げることを含む微小機械構造体の形成方法。〔効果〕複雑な金属構造体を、超小型寸法で任意の三次元形状に形成することができる。

Claim (excerpt)：

以下の工程:(a) 支持体表面上にめっき基材を設け;(b) めっき基材上の層にフォトレジストを施こし;(c) フォトレジストに図形状に放射線暴露してフォトレジストを図形状に溶解可能にし;(d) 溶解可能なフォトレジストを除去し;(e) フォトレジストが除去された区域においてめっき基材上に第一の金属からなる第一の層を電気めっきし;(f) 残りのフォトレジストを除去し;(g) めっき基材上に第二の金属からなる第一の層を電気めっきして第一の金属からなる第一の層を被覆して取り囲み、第二の金属はこれが第一の金属をほとんど腐蝕することなく区別して腐蝕されるように選択され;(h) 第二の金属の露出表面を機械処理して第一の金属からなる第一の層を露出する選択された高さまでの平らな表面まで下げることを含む微小機械構造体の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/30 331 E ,  H01L 21/30 331 Z ,  H01L 21/30 361 R ,  H01L 21/88 C