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J-GLOBAL ID：200903088708400548

単結晶材料の製造方法及び電子装置の製造方法

Inventor： 四戸 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295114
Publication number (International publication number)：2003095797
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】厚く且つ高品質な炭化珪素単結晶を製造可能な単結晶の製造方法、及びそのような炭化珪素単結晶を用いた電子装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の単結晶材料の製造方法は、炭化珪素単結晶素材1の内部に空洞2を形成する工程と、前記空洞2内の空間に面した前記炭化珪素単結晶素材1の第1表面を前記空洞を挟んで前記第1表面に対向した前記炭化珪素単結晶素材1の第2表面に比べてより高温として、前記第1表面から炭化珪素を昇華させるとともに前記昇華した炭化珪素を前記第2表面上で結晶化させる工程とを含んだことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶素材の内部に空洞を形成する工程と、前記空洞内の空間に面した前記炭化珪素単結晶素材の第1表面を前記空洞を挟んで前記第1表面に対向した前記炭化珪素単結晶素材の第2表面に比べてより高温として、前記第1表面から炭化珪素を昇華させるとともに前記昇華した炭化珪素を前記第2表面上で結晶化させる工程とを含んだことを特徴とする単結晶材料の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78

FI (6)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 658 Z

F-Term (15)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EC05 ,  4G077SA01 ,  4G077SA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16