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J-GLOBAL ID：200903088716286835

量子井戸分布帰還型半導体レーザ

Inventor： 山崎 裕幸 ,  北村 光弘 ,  水戸 郁夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991224762
Publication number (International publication number)：1993114764
Application date： Aug. 09, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子井戸活性層両脇の光ガイド層の光の閉じ込め係数を大きくすることによりFM変調効率の増大を図る。上記光ガイド層を量子井戸構造とすることによってさらなるFM変調効率の増大を図る。【構成】 量子井戸活性層両脇の光ガイド層5が2000Å以上の膜厚を有している。また上記光ガイド層5に量子井戸活性層を導入することによってさらなるFM変調効率の増大を図る。

Claim (excerpt)：

InGaAs活性層、InGaAsPバリア層からなる量子井戸活性層を有し、量子井戸活性層の両脇に光ガイド層を有している量子井戸分布帰還型半導体レーザにおいて、前記光ガイド層およびバリア層の膜厚が2000Å以上であることを特徴とする量子井戸分布帰還型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• DFBレーザダイオード及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020255   Applicant：富士通株式会社